TOSHIBATHN-S101Z2400E8
Marca: TOSHIBA
P/N: THN-S101Z2400E8
EAN: 4051528307146
Disponibilidad: Bajo Pedido

109 ¤

*IVA Incluido
Especificaciones técnicas
  • Memoria de almacenamiento: Flash tipo NAND A15nm de 3 bits por celda
  • Capacidad: 240 GB
  • Controlador: Toshiba TC58NC1010
  • Interfaz: SATA III (6,0 Gbit/seg, retrocompatible con 3,0 Gbit/seg y 1,5 Gbit/seg)
  • Velocidad máxima de transferencia: 6,0 Gbit/seg
  • Tecnología de velocidad avanzada: Tecnología SLC Write Cache
  • Compatibilidad para TRIM: sí y requiere compatibilidad de SO
  • Cola de comandos nativa (NCQ): sí
  • Compatibilidad S.M.A.R.T: sí
  • Recopilación de elementos no usados: sí
  • Modo de solo lectura: sí
  • MTTF: 1 500 000 horas
  • TBW (carga de trabajo de resistencia de cliente especificada por las cargas de trabajo de resistencia de unidades de estado sólido JESD219A): 60 TB
  • Temperatura en funcionamiento: 0 °C-65 °C
  • Temperatura apagado: -40 °C-65 °C
  • Consumo de energía: en activo: 3,4 W typ.
  • sin actividad: 440 mW typ.
  • Dimensiones: 100 x 69,85 x 7 (mm)
  • Peso: 37,5 g
  • Contenido de la caja: Unidad de estado sólido - A100
  • Guía de inicio rápido
  • Rendimiento - Velocidad de lectura secuencial (medida con Iometer): Hasta 550 MB/seg
  • Rendimiento - Velocidad de escritura secuencial (medida con Iometer): Hasta 480 MB/seg
  • Rendimiento - Velocidad de lectura aleatoria (medida con CrystalDiskMark 3.0.3, 4kiB, QD32): Hasta 87 000 IOPS
  • Rendimiento - Velocidad de escritura aleatoria (medida con CrystalDiskMark 3.0.3, 4kiB, QD32): Hasta 82 000 IOPS